功率半導體及管理方案廠商國際整流器公司(IR) 於近日推出兩款全新100V耐壓IRF7495和80V耐壓IRF7493 N通道HEXFET功率MOSFET，該公司表示其產品經過特別設計，適用於電信系統中採用隔離式全橋或半橋架構的直流-直流轉換器。

IR指出新產品溝槽式設計大幅增強了MOSFET的導通電阻和柵電荷性能，隨著效率得到提升，接面溫度低於同類元件10°C以上。當元件應用於48V匯流排轉換器方案的初級部份，這種性能特別得到充分體現。接面溫度的下降可提高可靠性，對現在的網路和通訊設備十分重要。IRF7495特別為通用電信輸入電壓範圍 (36V至75V) 系統的半橋和全橋佈置而設計。

IR表示IRF7493是IR最新直流匯流排轉換器晶片組的一部分。該晶片組特別為用於48V輸入系統的隔離式雙段分佈式功率架構而設，當中的次段負載點轉換器能夠從非調節式輸入電壓產生出調節的負載電壓。雙段分佈式功率架構電路無需精準調節的中間匯流排電壓，因為負載點一般可接受相對較為寬廣的輸入電壓值，而負載點又能為相關負載提供所需穩壓能力。

IR台灣分公司總經理朱文義表示：「全新SO-8封裝MOSFET的柵電荷十分低，能體現較低的開關損耗；整體導通電阻亦降至最低，有助減少傳導損耗。只要選用最新的80V和100V IR元件，便能改善高效能網路通訊系統中分佈式功率架構，包括隔離式轉換器、動態ORing和熱交換電路。」