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IR推出IRF7842 40V N 信道HEXFET Power MOSFET
最适用于电信系统中的隔离式DC-DC转换器

【CTIMES/SmartAuto 黃明珠报导】   2004年05月28日 星期五

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国际整流器公司(International Rectifier)推出IRF7842 40V N 信道HEXFET Power MOSFET,最适用于电信系统中的隔离式DC-DC转换器。IRF7842的额定电压为40V,如用于电信和数据通信系统的二次侧同步整流电路,则有助增加可靠性及改善效率。这些系统的输入电压范围较为宽广,一般介于36V和75V之间。这种特性会在二次侧产生5V至12V的电压变动,故此需采用40V MOSFET,因为耐压30V的组件未能负荷真实的工作电压。新推出的耐压40V组件使IR专攻电信系统的二次侧功率管理开关组件系列更加完整。

在一次侧使用IR2085S PWM IC的隔离式DC-DC总线转换器中,在二次侧之同步整流采用IRF7842,可在150W全负载情况下达到95.2% 效率;在相同DC-DC总线转换器中,IRF7842的效率更较业界标准的40V组件高出0.5%。

IR台湾分公司总经理朱文义表示:「IRF7842采用了IR的Trench MOSFET技术,能够减少导通电阻(RDSON)和整体栅电荷(Qg),把损耗减至最低。其标准SO-8封装更可以直接替换其他现有设计。」

關鍵字: IR  IR  台湾分公司总经理  朱文义  电流控制器 
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