半导体设备及材料业者罗门哈斯电子CMP技术事业部，发表专为90奈米低介电（Low-k）制程化学机械研磨应用的优化非酸性阻挡层研磨液产品；罗门哈斯表示，该LK系列阻挡层研磨液具备整合性与弹性应用的优势，目前也已经有多家客户正在进行实际试用中。

罗门哈斯表示，LK系列产品包含LK301及LK309阻挡层研磨液，用户可依需求选择适用的产品，其中LK301阻挡层研磨液适合必要有含低至中度压入荷重变形（ILD）损耗之进入平面修正的应用，LK309阻挡层研磨液则专门用于清除四乙基原硅酸盐（TEOS）或第一石墨化阶段（FSG）的封顶层，并可在阻止CDO薄层的同时维持进入金属的厚度。

罗门哈斯电子材料CMP技术事业部研磨液技术副总裁 Rich Baker表示，LK系列可为制造商提供处理多重薄膜层堆的弹性，以便容纳低介电介质，并向后支持整合至TEOS及FSG整合规划。

此外该系列研磨液可提供在2psi（每平方英呎2磅）下每分钟大于700埃的氮化钽（TaN）移除率，并与罗门哈斯的IC1000及Politex研磨垫平台均兼容。目前该系列产品在罗门哈斯位于美国的制造厂生产，该厂目前每年可供应300万加仑的研磨液。