账号:
密码:
最新动态
产业快讯
CTIMES/SmartAuto / 產品 /
Maxim发布新版健康感测器平台 缩短穿戴医疗设备开发时间
 

【CTIMES/SmartAuto 报导】   2020年10月30日 星期五

浏览人次:【2644】

Maxim Integrated Products, Inc.宣布推出健康感测器平台3.0 (HSP 3.0),将开发时间缩短至少6个月。该款可直接佩戴的腕戴式叁考设计型号MAXREFDES104#,用於监测血氧(SpO2)、心电图(ECG)、心率、体温和运动。其演算法提供心率(HR)、心率变异(HRV)、呼吸率(RR)、血氧饱和度(SpO2)、体温、睡眠品质和压力水准等临床级资讯。

/news/2020/10/30/1053488210S.jpg

该叁考设计将助可穿戴产品设计师立即开始资料收集与从零开始设计这些设备相比,至少能节省6个月的时间。HSP 3.0采用腕戴式设计,也适用於其他乾电极(Dry Electrode)形式的设备,例如胸贴和智慧戒指。

与上一代产品相比,HSP 3.0在整合ECG方案增加了光学SpO2测量和乾电极测量能力。因此,全新平台可以实现终端方案的监测心脏和呼吸功能,用於管理慢性阻塞性肺疾病(COPD)、传染病(例如COVID-19)、睡眠窒息症和动脉纤颤(AFib)等疾病。

此外,新款叁考设计体积缩小了40%,采用升级版微控制器、电源、安全管理和检测IC。叁考设计包括完整的光学和电极设计,结合所提供的演算法,可以满足临床级测量要求。

Maxim Integrated持续引领可穿戴医疗健康和远端病人监控技术领域,支援个性化医疗健康产品设计,助使用者实现更好的预测性和预防性方案。医疗专家和最终用户正在使用这些可穿戴方案提供的丰富资讯,更主动地管理慢性疾病、诊断COVID-19等急性病,还能改善预防保健护理和整体健康状况。

Maxim Integrated表示,随着可穿戴设备中包含的检测方式越来越多,设备开发人员能够充分利用多测量方法的优势,为用户提供更准确有效的解决方案。

HSP 3.0健康感测器平台与MAXREFDES104#叁考设计的资源

.MAX86176:杂讯最低的光学光电容积脉搏波法(PPG)和电学ECG模拟前端(AFE),提供110dB讯噪比(SNR),从而增加SpO2饱和度检测能力;共模抑制比(CMRR)大於110dB,以支援乾电极ECG应用。

.MAX20360:高度整合的电池和电源管理IC (PMIC),优化用於先进的体戴式健康检测设备。器件包括Maxim Integrated的高精度ModelGauge m5 EZ电量计、精致的触觉驱动器,以及独特的低杂讯升/降压转换器,最大程度提高SNR、降低光学生物检测所需功耗。

.MAX32666:支援蓝牙(BLE)功能的超低功耗微控制器,包含两个Arm Cortex-M4F核和附加SmartDMA,後者允许独立运行BLE堆叠,使两个主核用於运行主要任务。此外,微控制器整合完整的安全套件和记忆体改错码(ECC),大幅提高系统可靠性。

.MAX32670:超低功耗微控制器,专用於Maxim Integrated领先的脉搏率、SpO2、HRV、呼吸率、睡眠品质监测和压力监测演算法支援。微控制器可配置为感测器集中器(支援硬体和演算法)或演算法集中器(支援多种演算法)。MAX32670无缝支援客户所需的感测器功能,包括管理MAX86176 PPG和ECG感测器AFE,并为外部提供原始或计算得到的资料。

.MAX30208:低功耗、高精度数位温度感测器,采用2mm x 2mm小型封装。器件的工作电流比同等竞争器件低64%。器件读取封装顶部的温度,可安装在软电缆或PCB上,使其很容易设计到可穿戴设备中。MAX30208的精度为0.1。C,满足临床温度要求。

關鍵字: 穿戴装置  生物检测  Maxim 
相关产品
贸泽电子与ADI合推电子书 探讨LiDAR创新设计与商机
Maxim Integrated发布最高效率和最小尺寸的AI系统供电电源晶片组
Maxim Integrated推出业界首款无扰动监控IC
Maxim Integrated推出业界首款带有自检功能的汽车级窗电压监测器
Maxim为超级电容提供高精度Continua备份调节器
  相关新闻
» 阿布达比设立人工智慧与先进技术委员会 引领未来科技发展
» Bureau Veritas协助研华成功取得 IEC 62443 认证
» Valeo将与ROHM合作开发新世代功率电子
» 叶片小保镳:新型感测器助农夫精准掌握植物健康
» Lyten投资锂硫电池工厂 预示新型电池技术进入商业化阶段曙光
  相关文章
» 创新光科技提升汽车外饰灯照明度
» 以模拟工具提高氢生产燃料电池使用率
» 掌握石墨回收与替代 化解电池断链危机
» SiC MOSFET:意法半导体克服产业挑战的颠覆性技术
» 超越MEMS迎接真正挑战 意法半导体的边缘AI永续发展策略

刊登廣告 新聞信箱 读者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3  v3.20.1.HK8BR8Q76K8STACUKT
地址:台北数位产业园区(digiBlock Taipei) 103台北市大同区承德路三段287-2号A栋204室
电话 (02)2585-5526 #0 转接至总机 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw