账号:
密码:
最新动态
产业快讯
CTIMES/SmartAuto / 產品 /
英飞凌OptiMOSTOLx系列推出全新封装 可强化 TCoB 耐用性
 

【CTIMES/SmartAuto 报导】   2021年06月15日 星期二

浏览人次:【2239】

英飞凌科技借助创新的 TO-Leadless (TOLL) 封装,在 OptiMOS 功率 MOSFET TOLx 系列推出两款新封装:TOLG (配备鸥翼型导线的 TO 导线) 以及 TOLT (TO 导线顶部散热)。 TOLx 系列皆具备极低的 RDS(on) 与超过 300 A 的高额定电流,可提升高功率密度设计的系统效率。

/news/2021/06/15/1450062700S.jpg

TOLG 封装结合了 TOLL 与 D2PAK 7 针脚封装的最佳功能,与 TOLL 共用相同的 10 x 11 mm2 基底面与电气性能,并增加了与 D2PAK 7 针脚相容的弹性。 TOLG 的主要优势在采用铝绝缘金属基板 (Al-IMS) 的设计时特别明显。在这些设计中,热扩张系数 (CTE) (说明材料在温度变化时的形状变化趋势) 比铜 IMS 和 FR4 电路板更高。

随着时间流逝,电路板上的温度循环 (TCoB) 会造成封装和 PCB 之间的焊接点出现裂缝。透过鸥翼型导线的灵活性,TOLG 展现出色的焊接点耐用性,在反覆发生温度循环的应用中大幅增加了产品的可靠性。全新封装与 IPC-9701 标准要求相比,能够展现两倍 TCoB 性能。

TOLT 封装针对优异的热效能进行最佳化。此封装在结构方面采用上下颠倒的导线,将裸露的金属置于顶端,且每一面都有多条鸥翼型导线,可提供高电流承载的汲极与源极连接。在导线上下颠倒的框架中,热量会从裸露的金属顶端穿过绝缘材料,直接传到散热片。与 TOLL 底部冷却封装相比,TOLT 的 RthJA 改善了 20%,RthJC 则改善了 50%。这些规格可降低系统物料成本,特别是散热片。此外,由于现在可将组件安装在 MOSFET 的底部,因此 TOLT 中的 OptiMOS 能够减少 PCB 空间。

OptiMOS TOLx 系列的OptiMOS 3 与 5 技术将推出各种电压等级的产品。 TOLG 将在 2021 年第四季提供 60 V 至 250 V 的广泛产品组合,包括同级最佳和最佳价格性能比的产品。 TOLT 目前提供 80 V 和 100 V 电压等级的产品。此外,还提供评估电源板,并采用 TOLG 封装的 100 V OptiMOS 5 功率 MOSFET (IPTG014N10M5)。

關鍵字: Infineon 
相关产品
英飞凌推出新一代氮化??功率分立元件
英飞凌新款高性能微控制器AURIX TC4Dx可提供高速连接
英飞凌首款20 Gbps通用USB周边控制器提供高速连接效力
英飞凌推出EiceDRIVER 125 V高侧闸极驱动器 故障即时保护电池
英飞凌CoolSiC萧特基二极体2000 V直流母线电压最高可达1500 VDC
  相关新闻
» 阿布达比设立人工智慧与先进技术委员会 引领未来科技发展
» Bureau Veritas协助研华成功取得 IEC 62443 认证
» Valeo将与ROHM合作开发新世代功率电子
» 叶片小保镳:新型感测器助农夫精准掌握植物健康
» Lyten投资锂硫电池工厂 预示新型电池技术进入商业化阶段曙光
  相关文章
» 创新光科技提升汽车外饰灯照明度
» 以模拟工具提高氢生产燃料电池使用率
» 掌握石墨回收与替代 化解电池断链危机
» SiC MOSFET:意法半导体克服产业挑战的颠覆性技术
» 超越MEMS迎接真正挑战 意法半导体的边缘AI永续发展策略

刊登廣告 新聞信箱 读者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3  v3.20.2048.18.116.86.160
地址:台北数位产业园区(digiBlock Taipei) 103台北市大同区承德路三段287-2号A栋204室
电话 (02)2585-5526 #0 转接至总机 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw