贸泽电子（Mouser Electronics）即日起供货安森美（onsemi）EliteSiC碳化矽（SiC）系列解决方案。EliteSiC产品系列包括二极体、MOSFET、IGBT与SiC二极体功率整合模组（PIM），以及符合AEC-Q100标准的装置。这些装置经过最隹化，可为能源基础建设及工业驱动应用提供高可靠度和高效能。

贸泽即日起供货安森美EliteSiC碳化矽解决方案

再生能源和高功率工业应用需要高崩溃电压（BV），1700V NTH4L028N170M1 EliteSiC MOSFET就可以提供这样的特性。NTH4L028N170M1的最大闸极至源极电压（VGS）范围为-15V至+25V，适用於闸极电压达到-10V的快速切换应用，进而提高系统可靠度。

1700V EliteSiC MOSFET可在1200V、40A测试条件下实现领先市场的200nC超低闸电荷（Qg），在快速切换、高功率再生能源应用中具备很高的效率。

NDSH25170A与NDSH10170A EliteSiC肖特基二极体的额定BV为1700V，在最大反向电压（VRRM）与重复尖峰反向电压之间具有更大的边限。这些装置还使得设计者能够在高温下实现稳定的高电压作业，并且不会影响SiC的高效率。

无论是电动车充电站、利用再生能源的电力网，还是高电压/高电流的工业驱动应用，安森美EliteSiC都能实现最高的效率，并降低功率损失。

提供种类最齐全的半导体与电子元件、专注於新产品导入的授权代理商贸泽电子在过去两年中分销了逾122,000个新零件编号。