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NS推出讯号调节能力加倍而功耗减半的全新中继器
 

【CTIMES/SmartAuto 林佳穎报导】   2011年02月08日 星期二

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美国国家半导体(NS)于日前宣布,推出三款多信道PowerWise 10Gbps中继器,其特点是具有高36dB等化增益,每信道仅55mW的功耗,并可延长一倍的电缆长度,以24-AWG电缆为例,传送距离可长达20公尺。

NS推出讯号调节能力加倍而功耗减半的全新中继器
NS推出讯号调节能力加倍而功耗减半的全新中继器

美国国家半导体10Gbps中继器系列芯片,采用该公司的第三代硅锗(SiGe) BiCMOS制程技术制造,具有「接收等化」和「发送数字式波形还原」两种功能,可为数据中心及高效能通讯系统提供信道损耗补偿,也就是说这系列中继器芯片可以延长电缆的传送距离而且将数据带宽提高至10.3125Gbps,因此适用于符合10 GbE、Fibre Channel、XAUI、CPRI和Infiniband等串行传输协议的高速主动式电缆组件及FR-4背板。此外,这几款中继器也可支持储存系统的SAS/SATA外频讯号传输功能。

由于因特网涌现大量多媒体内容,加上云端运算及多核心虚拟化服务器的出现,因此新一代的数据中心运算系统对接口带宽的要求越趋严格。但互联机路的长度仍维持不变,使功耗及讯号完整性成为另一个有待解决的问题。主动式铜线电缆组件及背板电路板只要内建美国国家半导体的讯号调节器就可确保讯号完整无缺、减少系统功耗及让用户可以采用成本低于光纤电缆的铜导线。

NS表示,采用其10Gbps中继器的主动式铜导线互连方案的功耗只有市场上其他线路互连方案的四分之一,而电缆传送距离则可延长两倍。美国国家半导体此系列中继器能够有这样的优势是因为采用全新的硅锗(SiGe) BiCMOS制程制造,使其中的晶体管可以支持较高的带宽、产生较少噪声及大幅减少讯号抖动和功耗。4信道的DS100BR410芯片适用于高密度的连接器如QSFP和CXP,而DS100BR111芯片则适用于单信道的SFP+连接器。

關鍵字: 中继器 
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