国际整流器公司（IR）近日发表耐压200V的IRF7492和耐压150V的IRF7494 HEXFET N信道功率MOSFET。相较于市场上同类型组件，新组件的导通电阻减少56%，栅漏电容(Miller电容)电荷减少50%。IR表示，新MOSFET是特别为Forward或Push-Pull转换器中的一次侧开关应用而设，适用于电信及网络系统中的板上型功率模块。

国际整流器公司（IR）

IR台湾分公司总经理朱文义表示，「MOSFET的主要参数计有组件导通电阻和栅电荷。这些参数对电路整体性能具有一级效应。全新IRF7492和IRF7494组件以IR最新沟道科技制造，能够减少传导和开关损耗，并且提升整体效率。」

IRF7492及IRF7494具有低导通电阻（RDS(on)）和栅电荷，适用于达500kHz的直流-直流转换器开关应用系统，栅电压最高达到20V。