安捷伦科技表示，该公司日前发表的Agilent ATF-541M4，是业界最小的单电压E-pHEMT(1) GaAs FET(2)。Agilent ATF-541M4迷你的无引线封装尺寸只有1.4 mm x 1.2 mm x 0.7 mm，使用的电路板空间比传统的SC-70封装（2.1 mm x 2.0 mm x 0.9 mm）省了60%。这个组件具备了小尺寸、低噪声和高线性度等特色，非常适合塔架装置放大器和前端LNA，或操作频率为900 MHz和1.9 GHz的GSM/TDMA/CDMA/W-CDMA基地台的混合模块。

在2 GHz的频率（3 V，60 mA）下，典型的效能为0.5 dB的噪声指数，+35.8 dBm的OIP3、+21.4 dBm的P1dB及17.5 dB的相关增益。在5.8 GHz的频率（3 V，60 mA）下，典型的效能为1.2 dB的Fmin、+37.6 dBm的OIP3、+19.4 dBm的P1dB及11.9 dB的相关增益。

安捷伦的E-pHEMT增强模式组件是第一个商品化的单电源GaAs晶体管，操作时不需要用到负闸偏压电压。它们可以简化介于450 MHz至6 GHz频率范围内的许多应用中，有关接收器与发射器的设计，并节省其成本。

ATF-541M4及采用SC-70封装的ATF-54143，在较高的频率下均具备了优异的线性度、P1dB和NF效能，尤其是在5 GHz至6 GHz的频率范围内表现最好。对于5 GHz 802.11a和HiperLAN/2无线LAN网络适配器来说，这两种组件的操作都能像驱动器放大器一样有效。由于它们是为了在3V的情况下达到最佳的RF效能而设计的，因此很适合膝上型和掌上电脑的PCMCIA标准PC卡使用。