EPC推出了40 V、1.3 m?的氮化镓场效应电晶体 （eGaN FET），元件型号?EPC2067，专?设计人员而设。 EPC2067比MOSFET更小、更高效、更可靠，适用于高性能且空间受限的应用。

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宜普电源转换公司（EPC）是增?型矽基氮化镓功率电晶体和积体电路的全球领导者。新推的EPC2067（典型值? 1.3 mΩ、40 V）扩大了可选的低压元件，可立即供货。

EPC2067非常适合需要高功率密度的应用，包括48 V-54 V输入伺服器。较低的闸极电荷和零反向恢复损耗可实现1 MHz及更高频率的高频操作、高效并在9.3 mm2 的微小占位面积内，实现高功率密度。

EPC公司首席执行长兼共同创办人Alex Lidow 说：「“EPC2067元件专?从40 V-60 V转至12 V的LLC DC/DC转换器的二次侧而设计。与上一代40 V的GaN FET相比，这款40 V元件具有更高的性能和成本效益，从而让设计师可以在更低的成本下，实现更高的效率和功率密度。 」

EPC90138开发板的最大元件电压?40 V、最大输出电流?40 A，配备板载闸极驱动器的半桥元件，采用了EPC2067 eGaN FET。这款 2”x 2”(50.8 mm x 50.8 mm) 的电路板专?实现最佳开关性能而设计，并且包含所有关键元件，让工程师易于评估EPC2067元件。