英飞凌科技近日发表应用于行动电子设备直流/直流转换器的全新功率半导体产品。新款OptiMOS 3 M 30V N信道 MOSFET系列产品锁定只使用5伏特驱动的应用，除了适用于一般行动和手持式装置，还可应用在显示适配器、工业控制、内嵌转换器、切换式电源供应器和笔记本电脑主板上的许多插槽。

OptiMOS 3 M 30V N信道 MOSFET系列产品

OptiMOS 3 M系列装置在4.5伏特制造下，具备最低导通电阻（RDS(on)），可大幅降低导通功率消耗。此外，闸电荷也大幅减少；例如BSC100N03MS G导通电阻为10毫奥姆（mΩ） ，最大额定闸极电荷为11 nC。这些关键特性上的改进，使导通电阻乘以闸电荷所产生的优值系数（FOM）比主要竞争对手高出20％，在效率上也提升4％。

OptiMOS 3 M MOSFET系列采用适合小尺寸应用的30 mm² SSO8（SuperSO8）和3 mm x 3 mm S3O8（Shrink SuperSO8）封装。

采用 SuperSO8封装的OptiMOS 3 M MOSFET系列产品，导通电阻在4.5伏特下为2.0 mΩ（在10伏特下为1.6 mΩ），比实力最接近的同类产品低38％。低导通电阻充份降低传导损耗和导通功率消耗，提高了功率密度。此外，低闸极电荷使得驱动器的负荷降低，开关频率若为300kHz，驱动器工作温度降幅即高达13°C，可降低热能消耗。

若采用S3O8封装，导通电阻在4.5伏特下可降至4.3 mΩ，在10伏特下为3.5 mΩ，比采用相同封装、实力最接近的竞争对手低了近50％。

全新OptiMOS 3 M MOSFET系列的特性，还包括降低接面温度的低通导电阻温度系数，以及将MOSFET归入非潮湿敏感、并可在生产和储存时简化处理作业的一级潮湿敏感度（MSL1）等级。指定的30伏特崩溃电压可确保出现电压突波时仍能持续安全作业，这项制造技术使寄生电容降低，换言之，开关电荷减少了，如此便可在不牺牲效能的情况下增加开关速度。