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创意电子推出 28nm DDR3-2133/LPDDR2复合式 IP
以精巧面积呈现高带宽功能

【CTIMES/SmartAuto 秦瑞芳报导】   2012年12月05日 星期三

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创意电子在广泛的28nm芯片验证IP 阵容中新增DDR3-2133/LPDDR2 复合PHY 与Controller IP。

全新的复合式 IP 使用台积公司的28nm HPM 制程,提供PHY、控制器与DDR系统完整的解决方案。新的IP 面积比功能类似的40nm IP 更小20%,最适用于需要高带宽DDR3-2133,并且以台积公司的28HPM 先进制程技术为目标的设计。

提供弹性客制化 IC 服务(Flexible ASIC Services)的关键在于能否提供SoC整合。特别是对于开发65nm以下先进技术芯片的设计人员,不但可以取得创意电子卓越的高效能自有与第三方IP 阵容,现在更扩及于全新的28nm DDR3-2133/LPDDR2 复合式IP。

创意电子自有 IP 涵盖高速SerDes、DDR、数据转换器、JPEG 及 NAND 闪存控制器。创意电子IP 结合了绝佳弹性与世界级效能,能够实现高价值和高效能SoC。现成IP 无法满足客户需求时,创意电子就会进行集成电路的客制化,以满足功能、功耗与面积的要求。

關鍵字: 复合式 IP  28nm  創意電子 
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