德州仪器(TI)发表量产、具有锁相回路(PLL)的DDR3缓存器，该组件为针对附带缓存器的双线内存模块 (RDIMMs)所设计，并且可透过固定的频率以及输出延迟来消除对电压与温度变化的影响，使系统更具稳定性。该单芯片四排(quad rank)的设计可更节省电路板上的整体空间，同时能降低服务器、工作站以及储存装置的耗电量。

TI发表新量产、具锁相回路的DDR3缓存器

SN74SSQE32882 28至56位暂存缓冲器的操作电压为1.5 V，并支持同位检查的功能以确保其可靠性。该芯片可支持由800Mbps到1333 Mbps的高数据传输率，以提供客户在设计上的弹性，而且单一模块可支持高达72个 DRAM。

SN74SSQE32882超越了「美国电子工程设计发展联合协会」(Joint Electron Device Engineering Council)在温度与电压稳定性上所规定的要求，是高效能服务器系统在可靠性上的保证。