英飞凌科技股份有限公司今日在 2013 应用电力电子研讨会暨展览会 (APEC) 中宣布推出 DrBlade：全球第一款采用创新芯片嵌入式封装技术的整合式 DC/DC 驱动器及 MOSFET VR 功率级(power stage)。DrBlade 包含最新一代的低压 DC/DC 驱动器技术及 OptiMOS MOSFET 组件。MOSFET 技术拥有最低的导通阻抗及应用优化的优值系数，能达到最高的 DC/DC 稳压应用效率，适用于计算机及电信，包括刀锋(Blade)及机架式(Rack)服务器、计算机主板、笔记本电脑及游戏机等。

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全新的 Blade 封装技术

英飞凌创新的 Blade 封装技术，采用芯片嵌入概念，使用电镀制程以取代标准的封装制程，例如打线、夹焊以及常见的成形技术。此外，芯片也加以层压介质(laminate foil)保护，使装置得以大幅缩小封装体积、降低封装电阻及电感，同时亦降低热阻。

英飞凌低压功率转换资深协理 Richard Kuncic 表示：「英飞凌是业界第一家推出采用 Blade 技术的整合式驱动器及 MOSFET 半桥的半导体公司。DrBlade 的推出，可提升服务器应用在全负载范围的效率，再度证明我们在功率半导体产业的领导地位。」

省空间、高效率

DrBlade 封装面积为 5x5mm，高度仅 0.5mm，可满足计算机系统对于更高的功率密度及省空间的需求。DrBlade 拥有优化的针脚规划，可简化 PCB 布线。采用全新的芯片嵌入式封装技术，再结合英飞凌的 OptiMOS MOSFET，使 DrBlade 成为低电压市场最佳的解决方案。