账号:
密码:
最新动态
产业快讯
CTIMES/SmartAuto / 產品 /
IR高电压闸极驱动IC 全新采用PQFN4x4封装
 

【CTIMES/SmartAuto 劉筱萍报导】   2011年07月04日 星期一

浏览人次:【2242】

国际整流器(International Rectifier;IR)近日扩展其封装系列,推出新款的PQFN 4mm x 4mm封装,且配合IR最新的高电压闸极驱动IC,为一系列应用包括家庭电器、工业自动化、电动工具和替代能源等,提供一个超精密、高密度和高效率的解决方案。

IR采用PQFN4x4封装高电压闸极驱动IC,可减少高达85%占位面积。
IR采用PQFN4x4封装高电压闸极驱动IC,可减少高达85%占位面积。

新款的PQFN4x4(修良式MLPQ 16引线)封装只需要16mm2的占位空间,能够容纳许多原先需要SOIC-16等大尺寸封装的IR高性能高电压闸极驱动IC,从而减少高达85%的占位空间。新封装利用适当的沿面距离与空隙规定,来实现适用于高达600 V电压的坚固可靠设计。

IR亚太区销售副总裁潘大伟表示,由于变频马达控制愈来愈得到广泛采用,所以对减小系统体积及增加功能的需求也因此增加。该新封装结合了IR高电压IC平台,可实现这些目标。PQFN4x4封装的厚度少于1 mm,使其与现有的表面黏着技术兼容,达到MSL2(第二级湿度敏感度)标准,并符合电子产品有害物质限制指令(RoHS)。

IR表示,该公司的HVIC技术,把N-信道和P-信道LDMOS电路整合到智能驱动器IC。这些IC接收低电压输入,并为高压功率调节应用提供闸极驱动和保护功能。此外,这些单片式HVIC整合了多种特性和功能,能够简化电路设计和降低整体成本,当中包括可以选择使用低成本的自举电源,以免除分离式光耦合器或变压器为本设计典型要求的,大且昂贵的后备电源。

關鍵字: IR 
相关产品
IR新款FastIRFET双功率MOSFET采用4×5 PQFN功率模块封装
IR推出电池保护应用MOSFET系列
IR推出表面黏着型75V MOSFET搭载极低导通电阻
IR为高功率工业应用推出新IGBT模块系列
IR推出75V MOSFET具有极低导通电阻
  相关新闻
» 巴斯夫与Fraunhofer光子微系统研究所共厌 合作研发半导体产业创新方案10年
» 工研院IEK眺??2025年半导体产业 受AI终端驱动产值达6兆元
» ASM携手清大设计半导体制程模拟实验 亮相国科会「科普环岛列车」
» SEMI提4大方针增台湾再生能源竞争力 加强半导体永续硬实力
» 国科会促产创共造算力 主权AI产业专区落地沙仑
  相关文章
» 使用PyANSYS探索及优化设计
» 隔离式封装的优势
» MCU新势力崛起 驱动AIoT未来关键
» 功率半导体元件的主流争霸战
» NanoEdge AI 解决方案协助嵌入式开发应用

刊登廣告 新聞信箱 读者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3  v3.20.1.HK8BM301Q5USTACUK3
地址:台北数位产业园区(digiBlock Taipei) 103台北市大同区承德路三段287-2号A栋204室
电话 (02)2585-5526 #0 转接至总机 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw