英飞凌（Infineon）日前推出兼具高电流与高效率的封装技术。全新的TO封装符合JEDEC标准H-PSOF（带散热器的塑料小型扁平引脚封装）。采用H-PSOF封装技术的产品为40V OptiMOS T2功率晶体，电流可达300A，以及超低的RDS（on）值。

此外，H-PSOF的整体尺寸和高度较常用的标准D2PAK封装（TO-263）更小巧：H-PSOF封装尺寸减少约20%，且高度几乎只有目前D2PAK封装的一半。英飞凌汽车电子事业处总裁Jochen Hanebeck表示，英飞凌开发的H-PSOF封装技术，结合在汽车系统领域的专业，专为高电流MOSFET开发的封装技术，将协助汽车系统供货商客户设计更节能且可靠的汽车应用，以满足降低油耗及碳排放的需求。

H-PSOF封装让汽车电子制造商能在高电流应用市场中提供更好的产品。高电流应用包括混合动力车的电池管理、电子动力转向（EPS）、主动式交流发电及其他重载应用，能提供更高的效率与更低的碳排放量。H-PSOF封装的开发，主要目标是降低封装电阻，并提供更优异的电流量。其特殊设计确保良好的沾锡性，提供可靠的焊接质量，并可透过表面黏着技术（SMT）生产线其中的自动光学检查（AOI）控制焊接的引脚。