快捷半导体公司（Fairchild Semiconductor）于昨21日宣布，推出一款具有低RDS（ON）（最大值17mOhm）和最佳质量因子（Figure of Merit; FOM）（最大值17m Ohm * 33nCº）的150V MOSFET组件FDMS86200，以满足DC-DC设计人员对具有较低开关损耗、较低噪声和紧凑的占位面积之MOSFET产品的需求。该组件利用快捷先进的制程技术和封装技术，以及系统专有技术，并采用5mm x 6mm MLP封装，具有效率高、功耗较低和发热较少的特性。

快捷推出150V低RDS MOSFET组件

FDMS86200采用屏蔽栅极MOSFET技术设计，具有较低的开关噪声和振铃噪声，有助于降低EMI。如果没有这项专有功能，设计人员则需使用200V MOSFET组件，从而使得RDS（ON）增加一倍，降低整体效率。快捷半导体的FDMS86200还拥有经改良的自体二极管（body diode），能够藉由减少损耗来提升开关效能。

快捷表示，可提供最广泛的MOSFET产品系列，让设计人员能够选择多种技术，找到满足应用需求的合适MOSFET。快捷拥有独特的功能、制程和创新封装及整体系统专有技术之组合，而其MOSFET产品系列具有广泛的崩溃电压范围（20V-1000V），以及从1mm x 1.5mm WL-CSP到20mm x 26mm TO264封装的先进封装技术，能够推动电子制造商实现更出色的创新设计。