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凌力尔特发表高速同步N信道MOSFET驱动器
 

【CTIMES/SmartAuto 劉筱萍报导】   2010年01月28日 星期四

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凌力尔特(Linear)今(28)宣布,发表一款高速同步MOSFET驱动器LTC4449,其专为在同步整流转换器架构中驱动顶部和底部电源N信道MOSFET而设计。此驱动器结合凌力尔特DC/DC控制器的其中一款及电源MOSFET后,可构成一完整的高效率同步稳压器,而能用作降压或升压DC/DC转换器。

用于DC/DC转换器的同步MOSFET驱动器
用于DC/DC转换器的同步MOSFET驱动器

LTC4449可于4V至6.5V电压范围内驱动顶部及底部MOSFET闸极,并能操作于达38V之供应电压。此强而有力的驱动器可输入4.5A及输出3.2A,使其成为驱动高闸极电容及高电流MOSFET之理想选择。LTC4449同样可针对更高电流应用驱动多个平行MOSFET。当驱动3,000pF负载时,其顶部MOSFET的快速8ns上升时间及7ns 下降时间,以及底部MOSFET的7ns上升时间与4ns下降时间,可使切换损耗降至最低。 自适性击穿保护可使顶部及底部MOSFET避免同步传导,同时将dead time降至最小。

LTC4449具备一个可达到电源步阶控制与关机的3态PWM输入,其能与所有具备3态输出特性的多相位控制器兼容。此外,其亦具备一针对输入逻辑的个别供应以匹配控制 IC的讯号振幅,以及一个在驱动器与逻辑供应上的欠压锁住电路。

LTC4449EDCB供货2mm x 3mm DFN-8封装,千颗量购计之单价为$1.25美元起。工业等级版本LTC4449IDCB保证操作于-40ºC至125ºC操作接面温度范围,千颗量购计之单价为$1.39美元起。所有版本均已供货。

關鍵字: 同步MOSFET驱动器  凌力尔特 
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