全球功率半导体及管理方案厂商----国际整流器公司（简称IR） 推出一系列全新的150V及200V HEXFET功率MOSFET，它们的导通电阻和栅电荷特性经过优化，能将48V输入隔离式直流-直流转换器的效率提升1%，适用范围包括网络和电信系统。

全新MOSFET的载电效能比起效能最接近的TO-220封装组件高出20%，并设有D2Pak和TO-262封装可供选用。

新组件中，IRFS38N20D和IRFS52N15D适用于单输出主板贴装式模块或多重输出电源的主插座，并适用于「热插入」(Hot Swap) 电路及动态ORing电路，以确保系统运作稳定可靠。

在标准的150W半砖式模块中，最新200V IRFS38N20D组件能在5VOUT和30A负载下达到91.5% 的效率，较业界标准组件高出1%。其操作温度亦较同类组件低28°C，有助于节省散热面积，及减少印刷电路板的尺寸。若把150V IRFS52N15D组件应用在主位部分进行效率测量，亦可展现出相同效果。

IR台湾分公司总经理朱文义表示：「新MOSFET具备更高载电效能，可让更多功率传送至次侧部分。设计人员可在相同面积上表现出更高输出功率和效率，甚至减少解决方案的尺寸，但输出功率仍可保持不变。」

电信系统的运作无法间断，因而对于性能的要求相当严谨。为了迎合此一需求，电路板往往需要在通电状态下进行更改。为了限制插入电路板时所产生的起动电流，热插入电路中的控制器必须要以慢速启动场效应管。IR的HEXFET MOSFET技术的低跨导特性能在线性操作区域中提供更完善的管理效能，避免芯片上出现有可能导致操作失误或系统故障的过热点。

朱文义进一步表示：「全新HEXFET功率MOSFET是热插入电路中的起动电流限幅器，由于例行维修在冗余功率系统上进行，故能确保操作的可靠性。」