硅成(ICSI)日前发表三款为目前市场上最快速-效能可达8奈秒的2M 及4M 的异步SRAM： IS61LV12816, IS61LV25616 及 IS61LV5128。这是硅成集成电路继去年第二季领先研发出8奈秒1M异步SRAM后，再度将内存容量成功地往上提升，推出具更高容量的8奈秒异步SRAM。

在科技急速转换、市场竞争愈趋激烈之际，新颖的通讯产品如调制解调器, VOIP等, 都纷纷将产品的主要诉求锁定在高效能上，同时，通讯产品的工作电压趋势也自原先的5伏特调降为3.3伏特，这样的改变，使得市场上对于高效能内存产生了强烈的需求，而硅成此次领先推出的8奈秒异步SRAM系列即可以最快的速度来满足新颖通讯产品的高效能需求。硅成集成电路执行副总邱坤寿表示 "硅成的企业精神是将客户的需求视为自己的需求，在产业界中我们可以深刻感受到的是，高效能产品需求的声音已经越来越大，虽然此次硅成已再度成功的推出市场上最快的3.3V 2/4M异步SRAM，但是我们仍将继续朝向更高容量的记忆产品迈进。目前 8M及16M的8奈秒异步SRAM也将研发成功，在不久的将来即可有样品提供。而同时为了满足客户在产能上的需要，硅成也正与台积电共同研发0.15微米及以下的制程，预计在短时间内即可成功研发。"

目前硅成8奈秒2/4M 异步SRAM皆已量产，预计于2001年年初可达到产能高峰。同时，这些异步SRAM也可以10,12及15奈秒的速度提供。加入了这些新推出的异步SRAM产品后，不但使得硅成SRAM的产品线更为完整，也将使得硅成在国际大厂纷纷转向台湾采购的同时，成为国际大厂的主要SRAM供货商。