晶圆湿法清洗设备供应商盛美半导体设备，宣布世界首台槽式与单片清洗集成设备Ultra C Tahoe，现已在大生产线上正式商用。Ultra C Tahoe清洗设备可应用於光阻剂去除，刻蚀後清洗，离子注入後清洗，CMP後清洗等制程，具有清洗制程效果提升，缩减化学药液成本，并显着降低硫酸废液排放量等优势。

由於全球对环境问题日益关注，政府部门对半导体工业产生的废液排放进一步加强监管和限制，因此迫切需要一款既能降低化学药液用量，又不牺牲清洗制程效果的清洗设备。

尤其需要重视的是，目前业内对半导体工业排放的废硫酸的处理方法欠隹，仍有部分地区（如美国）使用填埋式处理，但此方法很有可能会给环境带来的风险。在部分土地资源受限的地区（如韩国，台湾，上海等），填埋式处理方法无法实施，而高温纯化处理方法也会是一种选择，然而，高温纯化处理也将面临着能源耗费以及温室气体排放等一系列问题。

「硫酸废液处理是先进集成电路制造中的重要挑战。例如在台湾，半导体工厂占用了该地区硫酸总使用量的一半以上。」盛美半导体设备的CEO王晖说，「单凭槽式清洗，无法满足28nm及以下技术节点的制程要求，因此，清洗技术逐渐从槽式清洗转变为单片清洗，由此提高清洗制程效果。然而，这一转变却大大地提高了硫酸消耗量，而目前对硫酸废液的处理则引发了一系列安全问题，能耗问题，以及环境问题。盛美半导体设备开发了独具自主知识产权的Tahoe设备，其优秀的清洗效果与灵活的制程适用性可与单片晶圆清洗设备相媲美，满足客户的期??，与此同时，其硫酸的消耗量却仅为单片晶圆清洗设备的数分之一。我们认为它一举两得，既使半导体工业技术路线得以继续向下延伸，又兼顾环保问题，节省了在废液排放上的巨大开支。」

Ultra C Tahoe清洗设备在单个湿法清洗设备中集成了两个模块。在槽式模块中，配有硫酸双氧水混合液（SPM）清洗与快速倾卸冲洗（QDR），SPM制程药液在此独立的槽式模块中循环使用，与单片SPM清洗相比，至少可减少80%的硫酸废液排放。 Tahoe设备中，槽式清洗之後，晶圆将在湿润状态下，被传至单片模块，进行进一步的先进清洗制程。

单片清洗腔体可按客户需求进行灵活配置，如配备标准清洗液（SC1），氢氟酸（HF），臭氧水（DI-O3），以及其它各种制程药液。单片清洗腔体可配置至多4支摆臂，每支摆臂可提供至多3种制程药液。还可选配氮气雾化水清洗摆臂或盛美独有的智能兆声波摆臂进行兆声波清洗。该系统还可为图形片提供所需的IPA乾燥功能。

Ultra C Tahoe清洗设备现已证明其具有可与最先进的单片晶圆清洗设备相匹配的低交叉污染风险、优秀的颗粒去除效果，然而其SPM的消耗量却比单片清洗设备低得多。

盛美半导体设备客户端商业大产线数据表明，30nm条件下，与传统槽式SPM清洗设备相比，此集成式的Tahoe清洗设备可将晶圆上的颗粒数控制从数百颗降低到10颗。以每日处理2000片晶圆为例，Tahoe清洗设备每日消耗硫酸仅不到200L，与单片SPM设备相比，每日可减少超过1600L硫酸废液排放。

现在，Ultra C Tahoe清洗设备已可全球商用，包括在台湾地区，韩国及美国等地。