Ramtron宣布提供采用最新FBGA封装的4兆位（Mb）F-RAM内存。FM22LD16是一款采用48脚FBGA封装的3V、4Mb并行非挥发性F-RAM，具有访问速度高、几乎没有限制的读/写周期以及低功耗等优点。FM22LD16与异步静态RAM（SRAM）在接脚上兼容，以工业控制系统为应用目标，如机器人、网络和数据储存应用、多功能打印机、自动导航系统，以及许多以SRAM为基础的系统设计。此外，Ramtron亦提供采用44脚 TSOP封装的4Mb并行F-RAM产品。

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FM22LD16 是256K×16 的非挥发性内存，采用工业标准并行接口实现存取，存取的时间为55ns，而周期为110ns。该器件以 “无延迟” (No Delay) 写入的总线速度进行读写操作，耐久性至少为1E14 (100兆(trillion)) 次写入，并提供10年的数据保存能力。

这种4Mb FRAM是标准异步SRAM的直接替代组件（drop-in replacement），但性能却更为优异，因为它在进行数据备份时不需要电池，而且还由于它的单片形式一体成型（monolithic form），让它天生具有更高的可靠性。FM22LD16是一款真正的表面黏着解决方案，与电池供电的SRAM不同，它不需要电池连接的修改步骤，而且对潮湿、冲击和振动具有很高的承受能力。

另外，FM22LD16还拥有与现今高性能微处理器相连的接口，具有高速页面模式的特性，能以高达40MHz的速度进行4字节的Burst读/写操作，这比其它非挥发性内存的总线速度高出很多。该器件的工作电流更低于类似密度的其它非挥发性内存，读/写操作时为8mA，而在待机模式下仅为90µA。FM22LD16在整个工业温度范围内（-40℃至+85℃）以2.7V至3.6V的电压工作。

Ramtron现已经可以提供FM22LD16的工程样品，采用符合RoHS要求的48脚BGA封装，小量订购的起价为23美元。