国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）于近日宣布，针对PQFN封装系列推出新款的PQFN 2mm x 2mm和PQFN3.3mm x 3.3mm封装。新型封装把两个采用IR最新硅技术的HEXFET MOSFET整合，为低功率应用，包括智能型手机、平板计算机、摄录机、数字相机、DC马达和无线电感充电器，以及笔记本电脑、服务器和网通设备，提供高密度，低成本的解决方案。

IR针对PQFN封装系列推出新型封装采用最新硅技术

新推出的PQFN2x2及PQFN3.3x3.3双组件在每一个封装都配备一对功率MOSFET，提供共汲极或半桥拓扑的灵活性。这些组件利用IR最新的低电压硅技术（N和P）来达致超低损耗。例如IRLHS6276在只有4 mm2的范围内，配备两个典型通态电阻（RDS(on)）均为33mΩ的MOSFET。

此外，这个双PQFN系列包括专为在高侧负荷开关使用而优化的P-信道组件，提供简易驱动解决方案。组件封装的厚度少于1 mm，使其与现有的表面黏着技术兼容，并且拥有行业标准的占位空间，还符合电子产品有害物质限制指令（RoHS）。