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英飞凌推出车规级EDT2 IGBT 优化分立式牵引逆变器
 

【CTIMES/SmartAuto 劉昕报导】   2022年03月29日 星期二

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英飞凌科技股份有限公司宣布推出采用TO247PLUS封装的全新EDT2 IGBT。该元件专门针对分立式汽车牵引逆变器进行优化,进一步丰富英飞凌车规级分立式高压元件的产品阵容。

推出采用TO247PLUS封装的全新EDT2 IGBT
推出采用TO247PLUS封装的全新EDT2 IGBT

得益於其出色的品质,EDT2 IGBT符合并超越车规级半导体分立元件应力测试标准AECQ101,因而能够大幅提升逆变器系统的性能和可靠性。该IGBT采用汽车级微沟槽场中止(micro-pattern trench-field-stop)单元设计,所用技术已成功应用於EasyPACK 2B EDT2和HybridPACK等多款逆变器模组。

为了满足目标应用的要求,英飞凌新推出的EDT2 IGBT产品系列具备出色的抗短路能力。此外,它所采用的TO247PLUS封装具有更大的爬电距离,更有利於进行系统设计。同时,EDT2技术专门针对牵引逆变器进行优化,击穿电压为750 V,可支援高达470 VDC的电池电压,并显着降低开关和导通损耗。

分立式EDT2 IGBT在100。C的温度条件下运行时,额定电流通常为120 A或200 A,这两款型号均具有极低的正向电压,相比上一代产品,导通损耗降低13%。

其中,额定电流为200 A的AIKQ200N75CP2,在采用TO247Plus封装的分立式IGBT产品中堪称出类拔萃。因此,仅需少量的并联元件,便可实现既定的目标功率等级,同时还可提高功率密度,降低系统成本。

此外,EDT2 IGBT的叁数分布非常集中。集极射极饱和电压(Vcesat)的典型值与最大值之间相差不足200 mV,闸极??值电压(VGEth)也相差不到750 mV。而且饱和电压为正温度系数。

总之,这些特性有助於轻松实现并联运行,从而提高最终设计的系统灵活性和功率可扩展性。除此之外,这款IGBT元件还拥有平稳的开关特性、低闸极电荷(QG)和175。C的最高接面温度(Tvjop)等优点。

英飞凌新推出的EDT2 IGBT包括AIKQ120N75CP2和AIKQ200N75CP2两种型号,现已开始供货。

關鍵字: Infineon 
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