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【CTIMES/SmartAuto 蔡維駿报导】   2012年05月02日 星期三

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快捷半导体(Fairchild)的FDMC8010 30V Power 33 MOSFET以3.3mm x 3.3mm PQFN外形尺寸提供业界最佳功率密度和低传导损耗,能够满足这些需求。

FDMC8010采用快捷半导体的PowerTrench技术
FDMC8010采用快捷半导体的PowerTrench技术

FDMC8010采用快捷半导体的PowerTrench技术,非常适合要求在小空间内提供最低RDS(ON) 的应用,包括高性能DC-DC降压转换器、负载点(POL)、高效率负载开关和低端切换、稳压器模块(VRM)及ORing功能。设计人员使用FDMC8010组件,能够将封装尺寸从5mm x 6mm减小到3.3mm x 3.3mm,节省66%的MOSFET占位面积。

在隔离型1/16th brick DC-DC转换器应用中,Power 33 MOSFET的最大RDS(ON)仅为1.3mΩ,比具有同等占位面积的竞争解决方案小25%。

此外,该元件降低传导损耗,从而提高散热效率多达25%。要了解更多的资讯及索取样品,请浏览公司网页:http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDMC8010.pdf

關鍵字: PowerTrench  Fairchild 
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