美光科技 (Micron) 于昨（14）日宣布，推出第三代低延迟DRAM 内存（RLDRAM 3），其为一种新高带宽内存技术，能更有效率的传输网络信息。

现今影像内容、行动应用和云端计算不断演进。因此产生了对更高效网络基础设施的需求，以支持大量在线数据的传输。与前几代产品相比，美光新的RLDRAM 3内存进一步提高了储存容量和速度，同时将延迟减至最低，并降低功耗，提升了在网络应用中效能。

美光的DRAM营销副总裁Robert Feurle表示，随着网络内容消费的不断增长，人们日益需要有一种能支持网络流量增长的技术，美光的RLDRAM 3内存满足了这种需求。

该新产品的特点包含其tRC不足10奈秒，可控管较低的随机存取延时。而在容量上提供576Mb-1Gb的高灵活性，可应用于多种设计。速率上则可达达2133Mb/s，数据访问速度更快，另外在数据访问速度，可达2133Mb/s。

对于现有的RLDRAM 2，美光将继续提供最高水平的技术支持，并计划长期生产该产品。此外，美光正将其RLDRAM 2产品组合转入更先进的50nm制程，提高系统效能，降低功耗。