模拟讯号处理及功率管理方案供货商Zetex，推出三款针对可用驱动电压有限的应用而设计的N信道增强型MOSFET。

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这三款新组件分别为20V的ZXMN2B03E6(SOT236封装)、ZXMN2B14FH及ZXMN2B01F(两者均属SOT23封装)。它们可在1.8VGS下提供低损耗开关功能，因此能以两个1.2V电池或一个锂电池来驱动。它们的闸驱动超低，可直接通过逻辑闸来驱动。

Zetex保证三款新MOSFET的通态电阻(RDS(ON) )，在1.8VGS下分别低于75mΩ、100mΩ和200mΩ，在4.5VGS下则低于 40mΩ、55mΩ和100mΩ，在低电压应用中适用，例如高端断线开关的电平位移、升压转换器电路的外部开关，以至低电压微控制器和马达、螺丝管等负载的缓冲等。

快迅开关是Zetex专有UMOS技术的另一项主要特点。例如ZXMN2B01F在VGS = 4.5V和ID = 1A情况下的上升和下降时间只有3.6ns及10.5ns。