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凌力尔特提出过压保护控制器 避免电子组件损害
 

【CTIMES/SmartAuto 报导】   2010年04月27日 星期二

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凌力尔特(Linear)日前宣布,2.5V至5.5V过压和过电流保护控制器LTC4361,此组件专门为保护低电压、可携式电子设备免受输入电压瞬变和涌浪电流之损害而设计。过压事件可能来自电源转接器故障或产生错误,或当热插入一个AC转接器至组件的电源输入端时。错误的电源转接器同样可能无意中被插入一组件中,而造成因过压或负供应电压的损害。LTC4361采用具备2%精度的5.8V过压保护门坎来排除过压状况,并可在1微秒(最大)内快速响应,以将下游零组件从输入隔离。高达80V的过压保护可透过简单的 IC / MOSFET解决方案实现,而不需如电容或输入端的瞬变吸收器(transorb)等额外的外部组件。

简化的过压及过电流保护
简化的过压及过电流保护

Linear进一步说明,LTC4361可控制低成本的外部N信道MOSFET,因此在正常运作下可提供一个从输入到负载的低损耗路径。突波电流限制可藉由控制闸极的电压旋转率而达成。当输入电压超过5.8V过压门坎,此闸极将于1微秒内被拉低以保护负载。此 IC可操作于2.5V和5.5V间,而输入针脚可耐80V瞬变或DC过压。LTC4361具备透过ON针脚控制的软关机,并针对选配式外部P信道 MOSFET 提供闸极驱动输出,以达到反向电压保护。

该公司表示,新型LTC4360过压保护控制器适用于不要求过电流保护的应用,但与LTC4361提供许多相同的功能,LTC4360的两个版本之区别在于其针脚功能。LTC4360 - 1具有软关机控制及1.5uA的低关机电流,而LTC4360 - 2可驱动选配式的外部P信道MOSFET,以针对负电压提供保护。

關鍵字: 凌力尔特  电路保护装置 
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