国际整流器公司(IR)日前推出全新的IRF7335D1型双FETKY元件，把两个N通道MOSFET及一个肖特基二极管，组合于单一SO-14封装，载电效能远超市场上同类双MOSFET-肖特基组合封装方案，亦较IR早前推出的IRF7901D1元件提供高出40%的电流。相较于同类离散式电路方案，IRF7335D1可节省高达60​​%空间。该元件特别为标准12V输入和5V、3.3V及1.7V输出的11A同步降压转换器电路而设计，适用于笔记型电脑和桌上型电脑、游戏机控制板及网际网路设备。组合式封装既能简化电路布置、降低封装和组装成本，同时可提高功率密度、简化产品采购的物流程序。

IR表示，IRF7335D1内两个MOSFET经过个别最佳化，可提供控制及同步切换功能。同步MOSFET的导通电阻极低，可减低传导损耗。控制MOSFET的整体栅电荷和栅漏电荷均较低，可减少切换损耗；击穿电压更额定于30V，能安全处理输入电压尖峰。内置式肖特基二极管的正向电压降较低，能支援高速和高效率切换。

IR台湾分公司总经理朱文义表示，「全新双FETKY组合元件采用的SO-14封装含有一个经定制的引线框架，能改善热性能及多晶片效能。这种整合模式更可减低同步场效应管及并联肖特基二极管间的杂散封装和印刷电路板线迹电感，有助简化板上布置，增强操作效率。」