供电产品事业厂商国际整流器公司(International Rectifier, IR)宣布，该公司推出专用FlipFET封装的HEXFET功率MOSFET元件，所有接头皆置于晶片的同一面。 IR表示，该产品体现真正的晶片级封装技术(Chip Scale Packaging)，其创新一代的精巧功率结构，为先进的可携式应用系统提供更高功率密度。

国际整流器公司(IR) FlipFET封装功率组件(厂商提供)

IR指出，率先问世的两款FlipFET功率MOSFET，分别是单信道的IRF6100及双向双信道的IRF6150，均属20V的P-channel组件。IRF6100的尺寸仅为1.52平方毫米，IRF6150的仅为3.05平方毫米。

国际整流公司台湾区总经理朱文义表示，目前许多移动电话的智能型锂电池组均采用双重式SO-8 MOSFET，由于FlipFET技术可大幅缩减电路尺寸，因此能在相同体积的电池组中，将电池容量增加近两成，等于可用三小时待机时间的标准锂电池连续通话达半小时。随着第三代因特网多媒体移动电话问世，越来越多的新功能，也不断提升了对功率的要求，因此FlipFET技术相较于同类型设计，能够充分满足甚至超越消费者对通话时间的需求。

FlipFET MOSFET组件可达100%硅面积比。由于芯片本身就是封装，因此能大幅降低甚至消除组件封装过程中的杂散电感及其他损耗。同时，IR成功把组件面积减少70%以上，仅为通用TSOP-6及SO-8封装的1/3，但却拥有相同甚至更好的性能表现。FlipFET封装还有助改善导通电阻及热性能。如面积与标准TSOP-6封装相同的20V P channel FlipFET组件，最高RDS(on) 值仅为14 milliohms，较标准Si3443DV封装低出88﹪。