快捷半导体(Fairchild Semiconductor)近日推出了全新系列18种N信道MOSFET组件，采用业界首个结合大型TO-263封装(D2-PAK)的热性能和极低RDS特性的标准SO-8封装形式。十八种新组件均采用无底(Bottomless)封装技术，包括：两种150V和两种200V组件，适用于48V电讯DC/DC应用；六种40V组件，设计用于低输入电压单晶体管正向DC/DC转换器；两个晶体管正向转换器以及半桥接转换器的初级端；以及四种20V和四种30V组件，适合计算和同步整流器隔离DC/DC转换器的低端开关应用。

快捷表示，这种独特封装采用快捷半导体为其MOSFET BGA组件首创的焊锡凸块(solder-bump)技术。传统SO-8封装采用线接合(wire-bond)技术，无引线型SO-8封装可降低封装电阻和电感，但不会显著改进热性能。这种无底封装省掉线接合，使PCB散热器直接与MOSFET芯片的可焊接背面接触，同时实现这两个目标。

此种新封装将接面至外壳热阻抗降低至0.5°C/W以下，与传统SO-8封装的25°C/W接面至引线(junction-to-lead)热阻抗相比，这是一个大改进。无底SO-8封装的热阻抗甚至低于D2-pak封装，而且它的占位面积仅为30mm2，而D2-pak则为155mm2，这样设计者仅用D2-pak封装所需PCB板表面面积的20%，即可达到所需的性能要求。从封装底部的汲极接点及与MOSFET源极热耦合极好的源极引线进行热传导，可进一步改善热阻抗性能。