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快捷互补型MOSFET器件突破1A持续电流极限
 

【CTIMES/SmartAuto 报导】   2005年01月04日 星期二

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快捷半导体(Fairchild Semiconductor)推出最小尺寸的互补型MOSFET解决方案,为微型“点”功率和负载点(POL)DC/DC开关转换器设计提供高于1A的持续电流。FDC6020C将两个MOSFET整合于一个超小型的SuperSOT-6 FLMP封装(有框铸型封装的覆晶)中;而传统的解决方案必须采用两个单独器件或一个较大型封装,才能获得类似的高性能特性。

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FDC6020C具有卓越的散热性能和高效率特性,适用于机顶盒、数字相机和硬盘驱动器等产品。该器件的低开启闸电压(VGS=2.5 V)可简化采用3.3 V总线转换器或单颗锂离子电池供电的设计。当没有高闸驱动电压时,FDC6020C更可免去充电泵电路的需要。此外,该器件的每一个MOSFET都具有优良的RDS(on)特性(在4.5V时,P沟道为52毫欧,N沟道为27毫欧)。FDC2060C的结点至外壳热阻抗(1°C/W)及结点至周边环境热阻抗 (68° C/W) 有助达到最高的电流密度,并同时维持最佳的工作温度。

FDC6020C采用SuperSOT-6 FLMP封装,其面积只有9mm2,最大侧高为0.8mm。这种先进的封装形式无须传统的焊线,不但能提供低电阻抗,而且可以维持所需的关键机械公差特性,使得裸晶背面和封装背面共面。这种共面结构还在PCB和MOSFET裸晶 (漏极连接) 之间提供低热阻抗通路。

快捷半导体通信营销经理Mike Speed表示:“很多超可携式产品均采用可充电式单颗锂离子电池、可充电式NiMH电池或碱性电池供电。这些供电电源在使用过程中,都会随着电池放电而使其输出电压不断下降。结果造成这些IC的输出电压--包括控制电路中MOSFET的输出驱动电压--都会下降。快捷半导体的FDC6020C在低输入电压状态下也可正常工作,再加上其增强的散热性能和小尺寸封装,为超可携式设计者提供了可满足电气要求兼且可缓舒空间压力的理想方案。”

關鍵字: 快捷半导体  通信营销经理  Mike Speed  其他电源组件 
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