ST日前发布了256Mbit的NOR型闪存芯片，该组件采用已建构的每单元（cell）2位架构，能在更小的裸晶尺寸中强化内存密度。ST的M30L0R8000x0是2位/cell系列的首款组件，目前ST也正在研发128Mbit与512Mbit的芯片。

这款256Mbit的闪存是专为执行高效能程序代码与数据储存所设计，特别是新一代3G移动电话市场，这类产品日趋复杂的应用以及多功能特性，都要求在更小的实体尺寸中整合更多内存。而2位/cell技术的效能则能使内存芯片数组的容量加倍，从而大幅减少裸晶与封装尺寸。

M30L0R8000x0采用ST先进的0.13微米制程技术，并使用精巧的芯片TFBGA封装，尺寸仅8x10mm。该组件可操作在1.8V供给电源下，并适用于3V I/O，其低功耗特性相常适合新一代移动电话的设计。在移动电话产业中，ST是内存──特别是1.8V NOR型闪存的主要供货商，新组件将强化ST在行动应用领域的产品完整性。

ST同时是多芯片封装（Multi-Chip Package，MCP）组件供货商，能将多种不同的内存整合在单一封装中，以改善可靠度并节省占位面积。另外，针对3G手机，新芯片也能与PSRAM与LPSDRAM等产品整合使用。