账号:
密码:
最新动态
 
产业快讯
CTIMES/SmartAuto / 產品 /
 

【CTIMES/SmartAuto 报导】   2004年10月14日 星期四

浏览人次:【1870】

飞思卡尔半导体已和台积电(TSMC)签订合约,联合开发新一代的绝缘层上覆硅(SOI)高效能芯片前段技术,目标将锁定在开发65奈米互补金属氧化半导体(CMOS)的先进制程节点。这份为期三年的合约同时也赋予台积电(TSMC)制造权,可利用飞思卡尔的90奈米绝缘层上覆硅(SOI)技术制造产品。

飞思卡尔技术长Dr. Claudine Simson表示:「飞思卡尔提供客户高效能绝缘层上覆硅(SOI)产品,已经有四年的时间,台积电(TSMC)长久以来都是飞思卡尔重要的晶圆代工厂商,同时在我们与飞利浦和意法半导体(STMicroelectronics),共同在法国Grenoble附近的Crolles所发展的联合开发技术计划上,台积电也与飞思卡尔有良好的合作关系。我们与台积电(TSMC)长期以来都合作愉快,也期待能和台积电(TSMC)联合开发出65奈米绝缘层上覆硅(SOI)高效能芯片技术。」

这次共同合作,是期望能加快65奈米绝缘层上覆硅(SOI)技术的上市时间,让这项技术可创新的应用在不同市场里。而除了联合开发65奈米绝缘层上覆硅(SOI)高效能晶体管前端技术以外,双方将依照各自市场不同的应用需求,独立开发65奈米金属化后段技术。飞思卡尔会选在与飞利浦及意法半导体 (STMicroelectronics)共同拥有,位于法国的Crolles2联合研发及试产中心,来把这项技术运用到以十二吋晶圆生产65奈米绝缘层上覆硅(SOI)芯片;台积电(TSMC)则会在台湾的厂房里使用这项技术,生产高速、高效能的网络与运算应用产品,同时计划开发出低耗电选择,以满足行动式应用对于低耗电量的需求。

關鍵字: 飛思卡爾  技术长  Dr. Claudine Simson 
相关产品
飞思卡尔ColdFire新成员成为高性能应用的跳板
freescale与Motorola合作完成MXC架构平台
Freescale RF功率晶体管符合广播业界需求
飞思卡尔单芯片解决方案提供高能源效率照明系统
飞思卡尔突破GSM/GPRS前端模块尺寸大小限制
  相关新闻
» 巴斯夫与Fraunhofer光子微系统研究所共厌 合作研发半导体产业创新方案10年
» 工研院IEK眺??2025年半导体产业 受AI终端驱动产值达6兆元
» ASM携手清大设计半导体制程模拟实验 亮相国科会「科普环岛列车」
» SEMI提4大方针增台湾再生能源竞争力 加强半导体永续硬实力
» 国科会促产创共造算力 主权AI产业专区落地沙仑
  相关文章
» 使用PyANSYS探索及优化设计
» 隔离式封装的优势
» MCU新势力崛起 驱动AIoT未来关键
» 功率半导体元件的主流争霸战
» NanoEdge AI 解决方案协助嵌入式开发应用

刊登廣告 新聞信箱 读者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3  v3.20.1.HK8B335I0HMSTACUKB
地址:台北数位产业园区(digiBlock Taipei) 103台北市大同区承德路三段287-2号A栋204室
电话 (02)2585-5526 #0 转接至总机 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw