快捷半導體(Fairchild Semiconductor)推出採用超小型(3mm x 3mm)模塑無腳封裝(MLP)的100V、200V和220V N通道UltraFET器件，最適合用於作工作站、電信和網路設備等隔離DC/DC轉換器應用的初級端開關，可滿足這些設計對提高系統效率和節省電路板空間的設計目標。

快捷半導體的200V器件FDMC2610 BigPic:320x200 (廠商提供)

與市場上類似的200V MLP 3x3封裝器件相比，快捷半導體的200V器件FDMC2610大幅提升了業界最低的密勒(Miller)電荷(3.6nC與4nC之比)和最低的導通阻抗(200mΩ與240mΩ之比)。這些特性使該器件的品質系數(FOM)提高了27%，並且在DC/DC轉換器應用中實現出色的熱性能和開關性能。該款200V器件亦提供同類封裝器件中最佳(3C/W與25C/W之比)的熱阻(Theta JC)，甚至在嚴苛的環境中也能確保可靠的散熱效能。

快捷半導體通信部市場發展經理Mike Speed表示：「快捷半導體現為設計工程師提供具有領先業界性能的超緊湊型MLP 3x3功率開關產品。我們將PowerTrench製程的優點與先進的封裝技術相結合，全面提升UltraFET產品系列的水準。這些產品還特別經過量身訂做，能滿足現今DC/DC轉換器應用中最嚴苛的設計要求。」

快捷半導體的UltraFET器件除了能提供比市場上同類型封裝MLP器件更出色的熱性能和開關性能外，而且其在電路板上所占用的空間，還比DC/DC轉換器設計中常用的SO-8封裝器件少一半。封裝尺寸的縮小可讓工程師縮減MOSFET的占位面積及增強封裝熱容量，以便設計出更小型及高密度的DC/DC轉換器。

快捷半導體還推出了一款同樣採用MLP 3x3封裝的150V P通道平面型UltraFET器件，可與前述三種N通道器件搭配，發揮相輔相成的效果。這個器件選項為設計工程師提供了一完整的解決方案，能滿足其主動箝位開關架構同時需要N通道和P通道MOSFET的應用。