功率半導體和管理方案廠商–國際整流器公司(International Rectifier，簡稱IR)推出IRF6641TRPbF功率MOSFET，以IR的基準DirectFET封裝技術配合IR最新的200V HEXFET MOSFET矽技術，達致95%的效率。

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IR新推出的200V DirectFET元件，乃為於36V至75V通用輸入範圍操作的隔離式DC-DC轉換器而設計。超低的51 mOhm典型10V通態電阻RDS(on)及減少了的閘電荷，使新元件適合作為推動高電流負載的高頻率、高效率DC-DC轉換器；新一代中轉母線轉換器；DC馬達驅動器，以至為風力渦輸轉換功率的48V反相器的高效同步整流MOSFET。在48V通用輸入電壓範圍內運作的電腦及電訊伺服器，其高電流AC-DC轉換器亦適合採用新元件進行同步整流。

IR台灣分公司總經理朱文義表示：「我們最新的200V DirectFET MOSFET之電流額定值達到25安培，但面積僅與SO-8封裝0.7毫米產品相若，同時也能把閘電荷和封裝電感減至最低，從而減少傳導和交換損耗。單是一顆DirectFET MOSET，便能較兩或三顆SO-8元件節省超過50%的空間。」

如把IRF6641TRPbF的原件電路效率，與其他在第同步整流插座之加強SO-8元件相比，當每個插座所使用加強SO-8元件的數目相同，新DirectFET元件能提供0.4%的效率改進。此外，當每個插座有雙倍的加強SO-8元件，IR的新元件亦能提供同樣的7安培、全負載效率。在這項分析研究中，MOSFET的溫度，以每個插座採用兩顆IRF6641TRPbF元件的電路為最低。