功率半導體及管理方案領導廠商–國際整流器公司(International Rectifier，簡稱IR)推出兩款新型的DirectFET功率MOSFET。相比常用於網路及通訊系統的中功率200W DC-DC匯流排轉換器應用中的增強式SO-8元件，它們可以把系統層面的功率損耗減少10%。

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這兩款新型IRF6668 80V和IRF6662 100V DirectFET MOSFET的匯編式通態電阻和閘電荷甚低，最適合用於高頻隔離式DC-DC匯流排轉換器的一次側電源開關。

IR台灣分公司總經理朱文義指出：「現今先進網路和通訊系統中的ASIC、NPU和FPGA，皆以隔離式DC-DC匯流排轉換器來驅動。IRF6668與IRF6662可以配合IR的低電壓DirectFET MOSFET和DC匯流排轉換器控制IC使用，建立用於中功率隔離式匯流排轉換器的完整及最佳化晶片組解決方案。」

假如把IRF6662或IRF6668使用於未調整的48V輸入、8V輸出和200W隔離式轉換器的一次側，原有每平方吋97W的功率密度便可再提高15%。全憑IR DirectFET MOSFET封裝技術的雙面冷卻功能加上散熱器，才能達到這個效果。

100V IRF6662的元件通態電阻，比同類的增強式SO-8 MOSFET減少了4%，而匯編式導態電阻及閘電荷的性能效益指數，則比用於36至75V輸入、8V輸出、200W、220kHz半橋式DC匯流排轉換器的同類增強式SO-8元件高出30%。

80V IRF6668的通態電阻比同類的增強式SO-8 MOSFET改善了10%，總閘電荷也改善了30%，使匯編式導態電阻及閘電荷的性能效益指數提升了40%，在48V輸入、8V輸出、200W、220kHz半橋式DC匯流排轉換器中，體現多出10%的輸出電流。