美高森美公司(Microsemi) 擴大其建基於碳化矽襯底氮化鎵(GaN on SiC)技術的射頻(RF)電晶體系列，日前推出新型S波段500W RF元件2729GN-500，新元件針對高功率空中交通管制機場監視雷達(ASR)應用，ASR用於監視和控制在機場大約100英哩範圍的飛機。

在2.7 至2.9 GHz頻段上，2729GN-500電晶體具有無與倫比的500W峰值功率、12 dB功率增益和53%洩極效率性能，經由單一元件在這個頻段上提供最高功率，主要特性包括：

‧ 標準脈衝間歇格式： 100μs, 10 % DF

‧ 出色的輸出功率： 500W

‧ 高功率增益： >11.5 dB min

‧ 洩極偏壓?Vdd： +65V

‧ 低熱阻： 0.2℃/W

使用GaN on SiC高電子遷移率電晶體(HEMT)提供的系統優勢包括：

‧ 具有簡化阻抗匹配的單端設計，替代需要額外整合較低功率元件

‧ 最高峰值功率和功率增益，可減少系統功率級數與末級整合

‧ 單級對管提供具有餘裕的1.0 kW峰值輸出功率，經由四電路組合提供全系統2kW峰值輸出功率

‧ 65V的高運作電壓縮小電源尺寸和DC電流需求

‧ 極其穩健的性能提升了系統良率，而且

‧ 放大器尺寸比使用矽雙極性晶體管(Si BJT)或橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)元件的產品減小50%