全球超大型積體電路技術及電路國際會議( IEEE Symposia on VLSI Technology & Circuits)即將於6月11日至14日於日本舉辦。旺宏電子今年共有六篇論文獲選：其中一篇入選電路會議(VLSI Circuits)，另外五篇論文入選VLSI技術會議(VLSI Technology)，而再度蟬聯台灣業界之冠；尤其，一篇探討導電橋電阻式記憶體(Conducting Bridge Resistive Memory, CBRAM)的研究成果更獲選為焦點論文(Highlight Paper)。

今年旺宏在VLSI所發表的論文主題涵蓋3D NAND Flash、電阻式記憶體(ReRAM) 及相變化記憶體(Phase Chang Memory)等最前瞻的研究領域，顯示旺宏對次世代先進記憶體關鍵技術已全方位掌握。至於此次獲選為焦點論文的研究成果，則是旺宏工程師發現在CBRAM元件的金屬離子供應層與固態電解液層之間加上一層金屬氧化層(p型氧化銅半導體)，不僅可大幅降低元件的操作電壓，同時也能提高其穩定性，使新一代的CBRAM元件具備低耗能及高可靠度的特性。

旺宏自2006年起每年在VLSI國際會議中皆有論文獲選發表。今年在這兩場國際會議中共發表六篇論文如下：包括VLSI技術會議的五篇論文：Study of the Interference and Disturb Mechanisms of Split-Page 3D Vertical Gate (VG) NAND Flash and Optimized Programming Algorithms for Multi-level Cell (MLC) Storage；A Novel Bit Alterable 3D Stackable NAND Flash Using Junction-free P-channel Device with Band-to-Band Tunneling Induced Hot-Electron Programming；Fundamental Classification of Programming Pulses for Multi-Bit Phase Change Memory；A Novel Conducting Bridge Resistive Memory Using a Semiconducting Dynamic E-field Moderating Layer；A Novel High Performance WOx ReRAM Based on Thermally-induced SET Operation，以及入選VLSI電路會議的論文：3D Stackable Vertical-Gate BE-SONOS NAND Flash with Layer-Aware Program-and-Read Schemes and Wave-Propagation Fail-Bit-Detection against Cross-Layer Process Variations。

VLSI國際會議被視為是展現IC製程整合技術最新成果的櫥窗，與IC產業未來發展最為密切。若以第一作者(first author)論，今年VLSI台灣共有18篇論文入選，其中旺宏入選6篇、台積電7篇、交通大學及清華大學各2篇，國家奈米實驗室1篇；而在技術會議中，則是以旺宏發表5篇最多，次為台積4篇及交大2篇。

旺宏除了在VLSI持續有傑出表現，近五年來在國際重量級學術研討會議─國際電子元件大會IEDM(IEEE International Electron Devices Meeting)平均每年約有5篇論文發表。去年旺宏續有5篇論文獲選，篇數再度居台灣業界之冠，其中兩篇更獲得大會評選為焦點論文，超越國際指標性大廠。