隨著消費者對高速無線寬頻網路的需求迅速成長，智慧型手機和平板電腦等裝置需要採用更複雜的電路。為滿足這一市場需求，提高行動裝置射頻（RF，radio frequency）前端的性能，並縮減電路尺寸，橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）發佈全新、最佳化先進製程。

無線裝置RF前端電路通常採用獨立的放大器、開關和調諧器。隨著4G行動通訊和Wi-Fi（IEEE 802.11ac）等新高速標準開始使用多頻技術提高數據吞吐量，最新的行動裝置需要增加前端電路。現有的3G手機可支援5個頻段，而下一代4G LTE標準3GPP 可支援高達40個頻段。傳統的離散元件會大幅增加裝置尺寸，而意法半導體的新製程H9SOI_FEM可製造並整合全部前端功能模組。

這項製程是H9SOI矽絕緣層金氧半電晶體元件製程的進化。意法半導體於2008年成功研發了這一具突破性的H9SOI技術，隨後客戶運用這項技術研發了4億多顆手機和Wi-Fi RF開關。憑藉在這一領域的研發經驗，為研發整合前端模組，意法半導體最佳化了H9SOI製程，推出了H9SOI_FEM，為天線開關和天線調諧器提供業界最佳的品質因數（Ron x Coff ＝ 207fs ）。意法半導體同時投資擴大產能，以滿足客戶的最大需求。

從商業角度來看，高速多頻智慧型手機的暢銷拉動市場對RF前端元件（特別是整合模組）的需求迅速成長，根據Prismark的分析報告顯示，智慧型手機的RF前端元件數量大約是入門級2G/3G手機的三倍，目前智慧型手機年銷量超過10億台，成長速度約30%。此外，OEM廠商要求晶片廠商提供更小、更薄、能效更高的元件。意法半導體看好離散元件以及整合模組的市場前景，如運用意法半導體新推出的最先進製程H9SOI_FEM整合功率放大器和開關的RF模組和整合功率放大器、開關和調諧器的模組。

意法半導體混合訊號製程產品部總經理Flavio Benetti表示：「H9SOI_FEM專用製程讓客戶能夠研發最先進的尺寸，相當於目前前端解決方案的二分之一或更小的前端模組，此外，我們還開發出一個簡化的供貨流程，可大幅縮短供貨週期，提高供貨靈活性，這對市場上終端用戶至關重要。」

目前意法半導體正與客戶合作使用H9SOI_FEM開發新設計。預計今2013年年底投入量產。

技術細節：

H9SOI_FEM是一個閘寬0.13μm的1.2V和2.5V雙閘MOSFET技術。與製造RF開關等離散元件的傳統SOI製程不同，H9SOI_FEM可支援多項技術，如GO1 MOS、GO2 MOS和最佳化的NLDMOS，這些特性讓H9SOI_FEM可支援單晶片整合RF前端的全部主要功能，包括RF開關、低噪音放大器（Low Noise Amplifier，LNA）、無線多模式、多頻功率放大器（Power Amplifier，PA）、雙訊器（diplexer）、RF耦合器、天線調諧器和RF能源管理功能。

GO1 MOS是高性能LNA首選技術，能夠承受極低的噪音係數（1.4dB @ 5GHz），提供60GHz的閾頻率（Ft），為5GHz設計提供較高的安全係數。

GO2 CMOS和GO2 NMOS 被廣泛用於研發RF開關，讓意法半導體的製程為天線開關和天線調諧器提供業界最好的品質因數（Ron x Coff＝ 207fs）。

GO2高壓MOS可整合功率放大器和能源管理功能。在飽合低頻帶GSM功率條件下，最佳化的NLDMOS技術使功率放大器的Ft達到36GHz，開關效率達到60%。關於能源管理，PLDMOS技術的擊穿電壓（breakdown voltage）為12V，可直接連接電池。

必要時在三層或四層鋁和厚銅層上沉積，還可提高整合被動元件的性能。

H9SOI_FEM既適用於重視低成本和高整合度的低階市場，又適用於高階智慧型手機市場。高階產品通常要求整合多頻段，不僅可支援2G、3G和4G標準，還可支援其它的無線連接標準，如藍牙、Wi-Fi、GPS和用於非接觸式支付的近距離無線通訊（NFC，Near Field Communication）