NTT开发AlN高频晶体管 有??重塑通讯与功率半导体产业版图

NTT研究团队成功研发全球首个以氮化铝（Aluminum Nitride, AlN）为基础的高频晶体管。这款 AlN 高频晶体管能在极高频率下进行无线讯号放大，包括支援毫米波（mmWave）频段，使其在後 5G、6G、卫星通讯以及新世代无线系统中具有革命性意义。

图一 : NTT成功开发AlN高频晶体管

NTT 表示，AlN 展现的性能指标大幅超越目前市场主流的氮化??（GaN）晶体管。不论是在断电场强度、高电子饱和速度，或是在高频运算效率方面，AlN 都具有前所未见的表现。这意味着未来半导体可在更高电压、更高速的条件下运行，同时具备更低的损耗与更隹的热稳定性，使其成为高频通讯与高功率转换技术的下一代核心材料。

长期以来，GaN 一直被视为高频与高功率的主流材料，包括射频前端（RF FE）、5G 基站、电动车功率模组、雷达与工业应用皆大量采用。然而，随着通讯标准迈向更高频宽、更低延迟的 6G 时代，GaN 的材料极限逐渐浮现。AlN 的出现，使产业看见更广阔的高频应用可能性，尤其在毫米波与太赫兹（THz）频段，其材料优势尤为突出。
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