HBM挤压传统DRAM产能 记忆体供应紧张恐延续至2028年

人工智能伺服器需求持续成长，带动高频宽记忆体市场快速扩张，也进一步改变全球DRAM产业的供需结构。由於HBM生产需要大量高阶DRAM晶圆产能，三星电子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK hynix）与美光（Micron）持续将部分产能转向HBM，导致传统DRAM供应受到挤压，市场预期记忆体供需紧张情况可能延续至2028年。

图一 : 记忆体供应紧张恐延续至2028年

受市场对人工智能基础建设需求持续看好的影响，台湾记忆体族群今日在近期股价大幅修正後出现反弹。市场分析指出，人工智能伺服器对记忆体的需求，已不同於过去PC、智慧型手机与一般伺服器市场。AI加速器需要大量HBM提供高速资料传输，而单一人工智能伺服器系统所搭载的记忆体容量，也远高於传统伺服器，持续推升高阶记忆体需求。

HBM的快速成长也正在对整体DRAM供应产生连锁效应。由於HBM必须采用高阶DRAM晶片，并涉及先进制程与高阶封装技术，记忆体厂商在扩大HBM产能的同时，也可能排挤部分传统DRAM的生产资源。换言之，AI记忆体需求带动的并不仅是HBM市场成长，更正在重新分配全球DRAM产能。
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