M31与高塔半导体合作 开发65奈米SRAM和ROM记忆体

M31 Technology宣布与高塔半导体（Tower Semiconductor）合作，成功开发65奈米制程的SRAM（静态随机存取记忆体）和ROM（唯读记忆体）IP产品，并将设计模组交付客户端完成验证，搭配此平台的低功耗元件Analog FET（类比场效电晶体）所设计的电路架构，能够满足SoC晶片严格的低功耗要求。

此外， M31的IP有提供多组Deep NWell电压组合（0~8V、8~16V、16~24V）让客户选择，使用者能更有弹性的跟其他外部IC整合。不仅如此，虽然是低功耗取向，M31亦克服设计上的挑战，进而在速度达到一定程度的双重目标，为客户达成效能最隹化。

M31作为专业的矽智财（IP）供应商，致力於提供经过严格矽验证的IP产品，而高塔半导体则是专精於提供先进类比电路半导体解决方案的领先代工厂，拥有丰富的代工经验以及广泛的制程平台和技术组合，M31和高塔半导体的合作主要集中於双方均具丰沛研发经验的成熟制程上，开发65奈米制程平台的先进记忆体编译器的Single Port 、One Port以及ROM，这将为物联网（IoT）、智慧型穿戴装置、车联网（V2X）、人工智慧（AI）等应用领域提供更可靠、高效的半导体元件，有助於客户在市场上取得竞争优势。双方将通过技术整合，提高生产效率并降低成本，满足市场对高度集成、低功耗、高性能半导体解决方案的不断增长的需求。
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