台积电与美商巨积合作发展制程技术

台积电与美商巨积公司(LSI)4日共同宣布签署一项合作协定，双方将结合力量共同开发半导体尖端制造技术，并以发展0.13微米先进制程为初期合作目标。

根据台积电与LSI所签署的这项合作发展协定，双方将共同发展0.13微米制程技术，其中，LSI将利用台积电的0.13微米制程技术，来支援其客户的系统单晶片(system-on-a-chip; SoC)产品设计，产品将利用二家公司世界级水准的制造能力进行生产。此外，二家公司亦有意共同开发新一代的制程技术，并以超越半导体产业技术蓝图为目标。

LSI全球营运执行??总经理Joe Zelayeta表示，透过这项合作协定，双方优异的先进制程技术，搭配LSI的生产能力，不仅可进一步提升LSI的制程技术，巩固其技术发展脚步，同时LSI将充份运用此一优势，提供更隹的服务予其全球客户。
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