旺宏电子和力晶半导体,分别召开董事会,会中通过双方签订备忘录(MOU),主要内容为旺宏电子将於2006年4月1日将晶圆三厂、洁净室及其附属设备,售予力晶半导体;双方同意在90奈米以下之NVM/ Flash先进制程进行合作,力晶并愿意提供12寸晶圆厂之产能以满足旺宏新世代产品成长之需求。
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旺宏电子专注在非挥发性记忆体(NVM)及Flash产品之研究发展,考量未来产品制程技术、研发时程及成本效益的需求,结合双方的资源,在最短时间内提升产品竞争力,以满足客户在高密度记忆体产品的需求;同时,旺宏藉着此转售可进一步达到整体成本的改善,对未来获利将可进一步贡献,旺宏电子将更聚焦於产品技术之研发,加速新产品之引进。
已拥有二座12寸、一座8寸晶圆厂的力晶半导体,现有产品线涵盖DRAM、Flash及晶圆代工服务。透过这项购厂行动,力晶可立即在今年取得一座12寸晶圆厂及月产能高达三万五千片的扩充空间,顺利弥补该公司因建厂土地取得延迟所导致的产能扩张迟滞,而这座於2006年就能创造营收绩效的新厂,不仅确保力晶产能连续扩充的成长动能,也将使力晶更能掌握今年记忆体市场的成长商机。此外,力晶半导体计画在今年第一季,於台中后里科学园区动土兴建总月产能高达十二万片的二座全新12寸晶圆厂,预计2007年中可以陆续投入量产。
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