DRAM供需缺口有解 估2027年供給量可望上修

基於2025年下半年開始，ASIC和AI推論應用發展，分別帶動HBM3e、DDR5等需求，促使DRAM（動態隨機存取記憶體）供需缺口持續擴大，並推升整體DRAM利潤率。除了大廠積極擴充產能，期待能在2027年上修供給量外，也不忘持續開發新品。

圖一 : 記憶體大廠併購擴產補缺口，估2027年供給量可望上修。

自2024年起AI帶動HBM、DDR5、LPDDR5X等先進製程DRAM產品需求以來，Micron（美光公司）便持續執行美國ID1、新加坡HBM後段產能建設，並積極向外收購廠房，以縮短產能建置時程。

包含在台灣收購AUO台南廠2座、AUO Crystal台中廠，以及Glorytek台中廠，作為wafer probe（晶圓測試）、metallization（金屬化）、HBM TSV等各項用途；亦規劃將部分新加坡NAND Flash無塵室，改用於DRAM metallization。據統計至2025年Q3，Micron在全球DRAM產業的營收市占率達到25.7%，排名第三。
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