德州儀器擴大氮化鎵半導體內部製造作業 將自有產能提升至四倍

德州儀器 （TI） 已開始在日本會津的工廠生產氮化鎵 （GaN） 功率半導體。隨著會津廠進入生產，加上位於德州達拉斯的現有GaN製造作業，TI 現針對GaN功率半導體的自有產能可增加至四倍之多。GaN做為矽的替代方案，這款半導體材料可在許多領域中提供優勢，包括節能、開關速度、電源解決方案尺寸與重量、整體系統成本，以及在高溫與高壓條件下的性能等。

圖一 : 德州儀器於自有的第二家工廠生產GaN功率半導體

GaN晶片可提供更高的功率密度，也就是在更小的空間提供更多功率，使其能應用於筆記型電腦或行動電話的電源轉接器，或是更小、更節能的加熱與空調系統和家用電器馬達。現在，TI提供廣泛的整合式GaN功率半導體產品組合，從低電壓到高電壓都包含在內，藉此實現最為節能、可靠且具高功率密度的電子產品。