英飛凌科技已在其奧地利菲拉赫（Villach）晶圓廠，成功以 12吋（300毫米）碳化矽（SiC）晶圓製作出具備功能的功率元件。英飛凌是首家在大規模製造的半導體晶圓廠環境中，達成此一創新里程碑的公司，並運用了現有的矽（Si）製程製造設備。英飛凌在技術發展初期便成功製作出具備功能的功率元件，展現其致力於為客戶提供完整的高效能碳化矽功率半導體產品組合，並確保長期供應。相較於 8 吋（200 毫米）晶圓，採用 12吋晶圓生產晶片的技術更為先進、效率也顯著更高；由於晶圓直徑更大，每片晶圓可產出的晶片數量為前者的 2.3 倍。
英飛凌執行長 Jochen Hanebeck手持12吋碳化矽晶圓
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英飛凌執行長 Jochen Hanebeck 表示：「這項技術里程碑進一步鞏固我們在電源系統領域的領導地位。我要恭喜並感謝充滿熱忱的團隊，他們在推動 12吋碳化矽技術從實驗室進入製造環境的過程中，取得了重大進展。要在功率半導體領域保持領先，就必須持續推動技術突破。如今，我們已具備矽、氮化鎵，以及碳化矽的 12吋晶圓技術，在擴大半導體製造規模並帶動盈利性增長方面，處於領先地位。」
這項里程碑展現未來將 12吋碳化矽晶圓技術全面導入工業化生產的潛力。英飛凌將與客戶及合作夥伴密切合作，規劃 12吋碳化矽技術及產能爬升時程，同時持續推進8吋碳化矽製造藍圖。先進碳化矽功率技術將為汽車、再生能源、工業及 AI 資料中心等應用領域的客戶，提供兼具成本效益與穩定的供貨來源。
碳化矽是實現高效率電源轉換的關鍵半導體材料。其材料特性有助於降低電力損耗、提升功率密度，並在高電壓及高溫環境下維持高效率運作，適用於牽引逆變器、車載充電器、電動車充電樁、大型儲能系統、工業馬達系統，以及不斷電系統等應用。AI 資料中心的需求也持續成長，碳化矽正於固態變壓器、斷路器與電源供應器等應用中扮演新角色。英飛凌以廣泛的 CoolSiC? 產品組合支援上述應用。
與此同時，英飛凌也在德國德勒斯登（Dresden）廠區，成功驗證 Cold Split 技術應用於 12吋碳化矽晶圓的可行性。相較於傳統線鋸切割，Cold Split 技術能以更少的材料損耗及大幅縮短的處理時間，從碳化矽晶錠分離晶圓，因此可從同一晶錠取得更多晶圓，同時降低所需的資本支出。這兩項技術進展使英飛凌更有能力依市場需求擴大碳化矽技術規模，並滿足客戶持續演進的需求。
英飛凌以矽、碳化矽及氮化鎵三種關鍵材料製造半導體。2026 年 10 月 27 日，英飛凌宣布於菲拉赫投資約 11 億歐元，設立採用 12吋晶圓製程的氮化鎵功率半導體量產廠。此次碳化矽技術成果，將此一布局擴展至第二種寬能隙材料，進一步鞏固英飛凌在半導體製造創新領域的領導地位。
