过去数年期间，由于半导体厂迅速转移至次微米设计领域，促使晶片功能产生革命性的变革。目前的IC在晶片内一般都含有上千万个电晶体，并能支援GHz级的时脉，因此，IC设计者已有能力将这些技术内建于单晶片系统中，且发挥其最大的效能。

这波革命对于封装技术亦造成深远的影响。当晶片中整合愈来愈多的功能，使I/O的需求亦迅速增加，并对接脚的效能、基板研发、以及组装制程等方面有更高阶的要求。高时脉频率与低电压的特性，将效能需求推向新的高峰，同时更对散热管理与可靠性形成各种新挑战。

为了因应这些新条件​​与持续升高的效能需求，同时达成节省耗电的目的，许多厂商开始采用覆晶技术(Flip Chip)。覆晶技术早在30年前即已有问市，目前是市场上各种高效能、高可靠性晶片的封装技术首选。有别于传统打线封装是将晶片透过四周的金线连接至基版(Substrate)上，覆晶技术是将晶片的连接面透过锡球(Solder Balls)直接与基板黏着。覆晶封装是典型的晶圆级封装作业：锡球凸块(Bumps)是黏着在整个晶圆后才进行切割，之后经过测试与焊剂等处理、再安装到基板上。制造商可使用多种焊接方式与基板材料。
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