尽管存在于散热设计计算的典型错误会强烈地影响电源元件​​的接点温度，而且与失败率及功率电子系统的可靠度有关，但这些错误并没有正确地被了解或透过经验法则进行测试。由于实际功耗损失波形相当复杂，没有精确估算的热阻抗与电阻值会分散在散热设计的电源元件中，而且会很难量测交换式电源元件之平均晶片面积的接点温度，而建立在功率级与散热设计的安全边缘通常不会处于最佳情况。由于动态负载改变导致操作条件的变动，元件中加热与冷却特征变化的效应将能直接在瞬态模拟期间验证一个功率MOSFET。

热系统描述

半导体元件的热反应对应用设计来说是非​​常重要的参数。事实上，由于必须对元件施加脉冲，因此是不可能量测到矽晶片接点温度的。当对矽晶片施加非常短的功率脉冲时，接点将达到极高的温度值；如此一来，在稳定操作期间内将无法评估热行为。一般来说，有三种不同的方法可传播热，分别为透过对流、辐射与传导。本文仅探讨传导方式。 (图一)为热在物理结构中的传导方式，(图二)则展示了一个可模拟热流的等效电路。
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